FQP20N06_Q规格书应用电路供应商报价第4页-114ic电子网

首页 >FQP20N06_Q>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
MSE20N06N	文件：448.48 Kbytes Page：3 Pages	LowRDS(on)trenchtechnology	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTB20N06FP	文件：382.33 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTB20N06FP	文件：1.48658 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
MTB20N06KFP	文件：449.33 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTD20N06	文件：257.35 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSV™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTD20N06HD	文件：274.88 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.045OHM HDTMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThisadvancedHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewith	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTD20N06HD	文件：293.59 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET20Amps,60VoltsN?묬hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD20N06HDL	文件：227.27 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET20Amps,60Volts,LogicLevelN?묬hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD20N06HDL	文件：293.47 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.045OHM HDTMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTD20N06V	文件：176.95 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
FQP20N06_Q
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市利加科技有限公司	FQP20N06B	FAIRCHILD	16+	TO-220	10000	全新原装现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	FQP20N06C	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-220	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市创新迹电子有限公司	FQP20N06C	ON	23+	TO-220	2347	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	FQP20N06C	ON	23+	TO-220	2347	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	FQP20N06IC	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市宏兴瑞科技有限公司	FQP20N06IC	FAIRCHILD/仙童	24+	TO-220	60000		询价
深圳市星佑电子有限公司	FQP20N06L	仙童	05+	TO-220	5000	原装进口	询价
深圳市勤思达科技有限公司	FQP20N06L	FAIRCHILD	1215+	T0-220	150000	全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	FQP20N06L	DISCRETE	50	FSC	13100		询价
深圳市博浩通科技有限公司	FQP20N06L	FAIRCHIL	23+	TO-220	8600	全新原装现货	询价

更多FQP20N06_Q供应商更新时间2025-5-17 10:00:00

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263
Email：114ic＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号