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MTD20N06	文件：257.35 Kbytes Page：10 Pages	TMOS POWER FET 20 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM TMOSV™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTD20N06HD	文件：274.88 Kbytes Page：12 Pages	TMOS POWER FET 20 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.045 OHM HDTMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThisadvancedHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewith	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTD20N06HDL	文件：293.47 Kbytes Page：12 Pages	TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 20 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.045 OHM HDTMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTD20N06V	文件：257.35 Kbytes Page：10 Pages	TMOS POWER FET 20 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM TMOSV™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTD20N06HD	文件：293.59 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts N?묬hannel DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD20N06HD-1	文件：293.59 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts N?묬hannel DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD20N06HDL	文件：227.27 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level N?묬hannel DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MTD20N06HDLT4G	文件：227.27 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level N?묬hannel DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD20N06HDLT4G	文件：897.4 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTD20N06HDT4	文件：293.59 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts N?묬hannel DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD20N06HDT4G	文件：897.37 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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MTD20N06VT4	文件：176.95 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannel DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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20N06	文件：897.38 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
20N06	文件：67.37 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
20N06	文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages	20Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
20N06	文件：1.2281 Mbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=20A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
20N06B	文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages	20Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING

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详细参数

型号：
MTD20N06
制造商：
MOTOROLA
制造商全称：
Motorola, Inc
功能描述：
TMOS POWER FET 20 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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