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MTD3055E	文件：223.14 Kbytes Page：6 Pages	TMOS IV N-Channel Enhancement-Mode Power Field Effect Transistor DPAK for Surface or Insertion Mount TMOS POWER FET 8 AMPERES RDS(on) = 0.15 OHM 60 VOLTS 文件：223.14 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MTD3055E1	文件：223.14 Kbytes Page：6 Pages	TMOS IV N-Channel Enhancement-Mode Power Field Effect Transistor DPAK for Surface or Insertion Mount TMOS POWER FET 8 AMPERES RDS(on) = 0.15 OHM 60 VOLTS 文件：223.14 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MTD3055EL	文件：380.11 Kbytes Page：6 Pages	TMOS IV Power Field Effect Transistor(N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate) 文件：380.11 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MTD3055ELT4G	文件：1.00292 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.00292 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
MTD3055E	文件：300 bytes Page：1 Pages	TMOS IV N-Channel Enhancement-Mode Power Field Effect Transistor DPAK for Surface or Insertion Mount TMOS POWER FET 8 AMPERES RDS(on) = 0.15 OHM 60 VOLTS	恩XP	恩XP
MTD3055E1	文件：300 bytes Page：1 Pages	TMOS IV N-Channel Enhancement-Mode Power Field Effect Transistor DPAK for Surface or Insertion Mount	恩XP	恩XP
MTD3055EL	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 60V	恩XP	恩XP

型号：
MTD3055E
制造商：
MOTOROLA
制造商全称：
Motorola, Inc
功能描述：
TMOS IV N-Channel Enhancement-Mode Power Field Effect Transistor DPAK for Surface or Insertion Mount

更多MTD3055E供应商更新时间2026-3-10 10:20:00