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MTD5010N | Peak Sensitivity Wavelength: 850nm Peak Sensitivity Wavelength: 850nm The MTD5010N is a photo diode in a TO-18 metal can domed package. It is well suited for high reliability and high speed applications. FEATURES > Ultra High Speed > Low Dark Current / Metal Can Package > Narrow Angular Response > High Reliability in Demandin 文件：640.91 Kbytes 页数：3 Pages | Marktech | Marktech | |
MTD5010N | Photo Diode 文件：640.91 Kbytes 页数：3 Pages | Marktech | Marktech | |
Photo Diode 文件：640.91 Kbytes 页数：3 Pages | Marktech | Marktech | ||
MTD5010N | 峰值灵敏度波长： 850纳米 | Toshiba 东芝 | Toshiba | |
MTD5010N | 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管 描述：SENSOR PHOTODIODE 850NM TO18 | Marktech Optoelectronics | Marktech Optoelectronics |
产品属性
- 产品编号：
MTD5010N
- 制造商：
Marktech Optoelectronics
- 类别：
传感器，变送器 > 光学传感器 - 光电二极管
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 波长：
850nm
- 颜色 - 增强：
红外（NIR）/红
- 频谱范围：
400nm ~ 1100nm
- 不同 nm 时响应度：
0.2 A/W @ 450nm
- 响应时间：
3.5ns
- 电流 - 暗（典型值）：
5nA
- 视角：
24°
- 工作温度：
-30°C ~ 100°C
- 安装类型：
通孔
- 描述：
SENSOR PHOTODIODE 850NM TO18
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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