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MTD6N15T4G	文件：1.00989 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch 文件：1.00989 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
MTD6N15T4G	文件：125.12 Kbytes Page：6 Pages	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate 文件：125.12 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTD6N15T4	文件：88.65 Kbytes Page：8 Pages	Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount 文件：88.65 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTE020N10BRV8	文件：0 bytes Page：0 Pages		CYSTECH ELECTRONICS CORP 上传：天津市博通航睿技术有限公司	CYSTECH ELECTRONICS CORP
MTFC16GAPALBH-IT	文件：0 bytes Page：0 Pages	FBGA	MICRON/镁光上传：深圳市华来深电子有限公司	MICRON/镁光

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更多MTD6N15T4G供应商更新时间2025-12-24 9:05:00