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MTD6N15T4 | Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount 文件：88.65 Kbytes 页数：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch 文件：1.00989 Mbytes 页数：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
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CYSTECH ELECTRONICS CORP | CYSTECH ELECTRONICS CORP | |||
FBGA | MICRON/镁光 上传：深圳市华来深电子有限公司 | MICRON/镁光 |
详细参数
- 型号：
MTD6N15T4
- 功能描述：
MOSFET 150V 6A N-Channel
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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5000 |
公司存货 |
询价 | ||||
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24+ |
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5600 |
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更新时间2025-12-1 16:00:00
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