首页 >FQP20N06_Q>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
60VLOGICN-ChannelMOSFET | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
60VN-ChannelMOSFET | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
60VN-ChannelMOSFET | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
60VLOGICN-ChannelMOSFET | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司 | LEIDITECH | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司 | LEIDITECH | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司 | MCC | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司 | MCC | ||
N-Channel60-V(D-S)MOSFET | BWTECH Bruckewell Technology LTD | BWTECH | ||
N-Channel60-V(D-S)MOSFET | BWTECH Bruckewell Technology LTD | BWTECH |
详细参数
- 型号：
FQP20N06_Q
- 功能描述：
MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
16+ |
TO-220 |
10000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-220 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-220 |
2347 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-220 |
2347 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-220 |
60000 |
询价 | |||
仙童 |
05+ |
TO-220 |
5000 |
原装进口 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1215+ |
T0-220 |
150000 |
全新原装,绝对正品,公司大量现货供应. |
询价 | ||
DISCRETE |
50 |
FSC |
13100 |
询价 | |||
FAIRCHIL |
23+ |
TO-220 |
8600 |
全新原装现货 |
询价 |
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- FQP34N20
- FQP3N25
- FQP3N40
- FQP3N50C_F080
- FQP3N60
- FQP3N60TF
- FQP3N80C
- FQP3N90
- FQP3P50
- FQP44N08
- FQP44N10F
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