FQP20N06_Q规格书应用电路供应商报价第5页-114ic电子网

首页 >FQP20N06_Q>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
MTD20N06V	文件：257.35 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSV™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP20N06	文件：209.72 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSVPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.Ju	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP20N06	文件：301.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=85mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP20N06V	文件：209.72 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSVPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.Ju	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP20N06V	文件：209.09 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDT20N06	文件：3.1269 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
NTD20N06	文件：162.77 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET20Amps,60Volts,N?묬hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD20N06	文件：162.77 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET20Amps,60Volts,N?묬hannelDPAK MOSFET–Power,N-Channel,DPAK20A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •LowerRDS(on) •LowerVDS(on) •LowerCapacitances •LowerTotalGateCharge •LowerandTighterVSD	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD20N06	文件：80.12 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET20Amps,60Volts,N−ChannelDPAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable •LowerRDS(on) •LowerVDS(on) •LowerCapacitances •LowerTotal	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD20N06	文件：259.089 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=46mΩ(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
FQP20N06_Q
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市利加科技有限公司	FQP20N06B	FAIRCHILD	16+	TO-220	10000	全新原装现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	FQP20N06C	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-220	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市创新迹电子有限公司	FQP20N06C	ON	23+	TO-220	2347	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	FQP20N06C	ON	23+	TO-220	2347	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	FQP20N06IC	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市宏兴瑞科技有限公司	FQP20N06IC	FAIRCHILD/仙童	24+	TO-220	60000		询价
深圳市星佑电子有限公司	FQP20N06L	仙童	05+	TO-220	5000	原装进口	询价
深圳市勤思达科技有限公司	FQP20N06L	FAIRCHILD	1215+	T0-220	150000	全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	FQP20N06L	DISCRETE	50	FSC	13100		询价
深圳市博浩通科技有限公司	FQP20N06L	FAIRCHIL	23+	TO-220	8600	全新原装现货	询价

更多FQP20N06_Q供应商更新时间2025-5-17 10:00:00

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263
Email：114ic＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号