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FQP2N30	文件：730.54 Kbytes Page：8 Pages	300V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are product using Fairchilds proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstan 文件：730.54 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQP2N30	文件：300 bytes Page：1 Pages	300V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQPF2N30	文件：742.58 Kbytes Page：8 Pages	300V N-Channel MOSFET 300V N-Channel MOSFET 文件：742.58 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQU2N30	文件：732.82 Kbytes Page：9 Pages	300V N-Channel MOSFET 文件：732.82 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KQB2N30	文件：62.54 Kbytes Page：2 Pages	300V N-Channel MOSFET 文件：62.54 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

详细参数

型号：
FQP2N30
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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