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MCU20N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETS	MCC 美微科	MCC
MCU20N06A	文件：518.08 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：518.08 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
MCU20N06BHE3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETS	MCC 美微科	MCC

技术参数

Polarity：
N-Channel
Drain-Source Voltage VDS (V)：
60
Gate-Source Voltage VGS(V)：
±20
Drain Current IDMAX (A)：
20
Drain-Source On Resistance MAX(Ω)：
0.045
Input Capacitance CISSMAX (pF)：
500
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Min：
1.0
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Max：
3.0
Package Qty：
Tape&Reel
FIT：
30; Tj=100℃

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MCU20N06供应商更新时间2025-10-4 17:30:00

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