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FMMT491ATC	文件：210.84 Kbytes Page：7 Pages	40VNPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Feature •BVCEO>40V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •RCE(sat)=195mΩforalowequivalentOn-Resistance •500mWPowerDissipation •hFEcharacterisedupto2Aforhighcurrentgainholdup •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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FMMT491-MY	文件：1.24598 Mbytes Page：4 Pages	NPNTransistor Features ●Lowequivalenton-resistance	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
FMMT491Q	文件：303.57 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Feature •BVCEO>60V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •RCE(SAT)=195mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •500mWPowerDissip	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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FMMT491QTA	文件：153.25 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Feature •BVCEO>60V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •RCE(sat)=195mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •500mWPowerDissipation •hFECharacterizedupto2AforHighCurrentGainHoldup •ComplementaryPNPType:FMMT591 •TotallyLead-Free&	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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更多FMMT491(491)供应商更新时间2025-5-21 14:11:00

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