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FMMT491Q	文件：303.57 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Feature •BVCEO>60V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •RCE(SAT)=195mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •500mWPowerDissip	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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FMMT491QTA	文件：153.25 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Feature •BVCEO>60V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •RCE(sat)=195mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •500mWPowerDissipation •hFECharacterizedupto2AforHighCurrentGainHoldup •ComplementaryPNPType:FMMT591 •TotallyLead-Free&	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT491QTA	文件：303.57 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Feature •BVCEO>60V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •RCE(SAT)=195mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •500mWPowerDissip	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT491QTC	文件：303.57 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Feature •BVCEO>60V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •RCE(SAT)=195mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •500mWPowerDissip	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT491QTC	文件：153.25 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Feature •BVCEO>60V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •RCE(sat)=195mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •500mWPowerDissipation •hFECharacterizedupto2AforHighCurrentGainHoldup •ComplementaryPNPType:FMMT591 •TotallyLead-Free&	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT491Q_15	文件：303.57 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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FMMT491QTA	文件：380.19 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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