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FMMT491Q	文件：303.57 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Feature • BVCEO > 60V • IC = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • RCE(SAT) = 195mΩ for a Low Equivalent On-Resistance • 500mW Power Dissip 文件：303.57 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT491Q	文件：380.19 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：380.19 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT491QTA	文件：153.25 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Feature • BVCEO > 60V • IC = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • RCE(sat) = 195mΩ for a Low Equivalent On-Resistance • 500mW Power Dissipation • hFE Characterized up to 2A for High Current Gain Hold up • Complementary PNP Type: FMMT591 • Totally Lead-Free & 文件：153.25 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT491QTA	文件：303.57 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Feature • BVCEO > 60V • IC = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • RCE(SAT) = 195mΩ for a Low Equivalent On-Resistance • 500mW Power Dissip 文件：303.57 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT491QTC	文件：303.57 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Feature • BVCEO > 60V • IC = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • RCE(SAT) = 195mΩ for a Low Equivalent On-Resistance • 500mW Power Dissip 文件：303.57 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT491QTC	文件：153.25 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Feature • BVCEO > 60V • IC = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • RCE(sat) = 195mΩ for a Low Equivalent On-Resistance • 500mW Power Dissipation • hFE Characterized up to 2A for High Current Gain Hold up • Complementary PNP Type: FMMT591 • Totally Lead-Free & 文件：153.25 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT491Q_15	文件：303.57 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 文件：303.57 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT491Q_16	文件：380.19 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：380.19 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT491QTA	文件：380.19 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：380.19 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT491QTA	文件：303.57 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 文件：303.57 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Product Type：
NPN
IC：
1 A
ICM：
2 A
PD：
0.5 W
hFE：
100 Min
hFE (@ IC)：
0.5 A
hFE (Min 2)：
80
hFE (@ IC2)：
1 A
VCE (SAT) Max：
150 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.5/50
VCE (SAT) (Max.2)：
250 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)：
1/100
fT：
N/A MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT23

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更多FMMT491Q供应商更新时间2025-10-4 13:01:00

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