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FMMT491ATC	文件：210.84 Kbytes Page：7 Pages	40V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Feature •BVCEO>40V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •RCE(sat)=195mΩforalowequivalentOn-Resistance •500mWPowerDissipation •hFEcharacterisedupto2Aforhighcurrentgainholdup •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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FMMT491ATC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 1A SOT23-3	PAM Diodes Incorporated	PAM
FMMT491-MY	文件：1.24598 Mbytes Page：4 Pages	NPNTransistor Features ●Lowequivalenton-resistance	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
FMMT491Q	文件：303.57 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Feature •BVCEO>60V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •RCE(SAT)=195mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •500mWPowerDissip	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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FMMT491QTA	文件：153.25 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Feature •BVCEO>60V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •RCE(sat)=195mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •500mWPowerDissipation •hFECharacterizedupto2AforHighCurrentGainHoldup •ComplementaryPNPType:FMMT591 •TotallyLead-Free&	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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产品属性

产品编号：
FMMT491ATC
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 500mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 40V 1A SOT23-3

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