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FMMT491ATC	文件：210.84 Kbytes Page：7 Pages	40V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Feature • BVCEO > 40V • IC = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • RCE(sat) = 195mΩ for a low equivalent On-Resistance • 500mW Power Dissipation • hFE characterised up to 2A for high current gain hold up • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 文件：210.84 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT491ATC	文件：210.84 Kbytes Page：7 Pages	40V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 文件：210.84 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT491ATC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 1A SOT23-3	PAM 龙鼎微	PAM
FMMT491-MY	文件：1.24598 Mbytes Page：4 Pages	NPN Transistor Features ● Low equivalent on-resistance 文件：1.24598 Mbytes 页数：4 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI
FMMT491Q	文件：303.57 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Feature • BVCEO > 60V • IC = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • RCE(SAT) = 195mΩ for a Low Equivalent On-Resistance • 500mW Power Dissip 文件：303.57 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT491Q	文件：380.19 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：380.19 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
FMMT491ATC
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 500mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 40V 1A SOT23-3

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