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FMMT591ATA	文件：155.59 Kbytes Page：4 Pages	SOT23 PNP silicon planar medium power transistor Features •BVCEO>-40V •IC=-1AHighContinuousCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591ATA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 1A SOT23-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
FMMT591ATC	文件：342.3 Kbytes Page：7 Pages	40VPNPMEDIUMPOWERHIGHPERFORMANCETRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>-40V •IC=-1AHighContinuousCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591CSM	文件：15.69 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedLCC1	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
FMMT591-MY	文件：1.97968 Mbytes Page：4 Pages	PNPTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
FMMT591Q	文件：574.82 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591Q	文件：470.47 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)hasbeendesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •RSAT=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFECha	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591QTA	文件：574.82 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591QTA	文件：470.47 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)hasbeendesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •RSAT=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFECha	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591TA	文件：298.08 Kbytes Page：8 Pages	MediumpowerPNPtransistorinSOT23 Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •Rsat=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFEcharacterisedupto-2AforHighCurrentGainHoldUp •ComplementaryNPNType:FMMT491 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
FMMT591ATA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 40V 1A SOT23-3

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更多FMMT591ATA供应商更新时间2025-7-23 10:00:00

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