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FMMT6520TA	文件：81.11 Kbytes Page：4 Pages	350V PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT23 文件：81.11 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT6520TA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3	DIODES 美台半导体	DIODES
FP6520	文件：199.15 Kbytes Page：1 Pages	RF AMPLIFIER MODEL 文件：199.15 Kbytes 页数：1 Pages	APITECH	APITECH
HMBT6520	文件：29.72 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HMBT6520 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. Features • High Collector-Emitter Breakdown Voltage • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • The HMBT6520 is complementary to HMBT6517 文件：29.72 Kbytes 页数：3 Pages	HSMC 华昕	HSMC
IP6520	文件：821.2 Kbytes Page：16 Pages	20 W PD output integrates multiple fast charging output protocols 1 Features Ÿ Synchronous switch buck converter  Built-in power MOS  Input operating voltage range: 7 1 V to 32 V  Output voltage range: 3 V to 1 2 V, according to fast charging protocol auto-adjust  PD output power maximum 20 W 5V/3A 9V 2.22A 12V 1.67A  Output voltage with line compen 文件：821.2 Kbytes 页数：16 Pages	INJOINIC 英集芯科技	INJOINIC

产品属性

产品编号：
FMMT6520TA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 50mA，10V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	FMMT6520TA	DIODES/美台	2019+	SOT23	78550	原厂渠道可含税出货	询价
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更多FMMT6520TA供应商更新时间2026-1-27 9:42:00

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