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FMMT591CSM	文件：15.69 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
FMMT591-MY	文件：1.97968 Mbytes Page：4 Pages	PNPTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
FMMT591Q	文件：574.82 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591Q	文件：470.47 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)hasbeendesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •RSAT=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFECha	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591QTA	文件：574.82 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591QTA	文件：470.47 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)hasbeendesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •RSAT=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFECha	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591TA	文件：298.08 Kbytes Page：8 Pages	MediumpowerPNPtransistorinSOT23 Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •Rsat=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFEcharacterisedupto-2AforHighCurrentGainHoldUp •ComplementaryNPNType:FMMT491 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591TA	文件：476.51 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •Rsat=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFEcharacterisedupto-2AforHighCurrentGainHoldUp •ComplementaryNPNType:FMMT491 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591TC	文件：476.51 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •Rsat=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFEcharacterisedupto-2AforHighCurrentGainHoldUp •ComplementaryNPNType:FMMT491 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT591	文件：41.62 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR SOT223PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR COMPLEMENTARYTYPEFZT491 PARTMARKINGDETAIL-FZT591	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

详细参数

型号：
FMMT591CSM
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | LLCC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FMMT591CSM供应商更新时间2025-7-19 12:00:00

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