FMMT591Q分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
FMMT591Q |
参数属性 | FMMT591Q 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 1A SOT23-3 |
功能描述 | 60V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
470.47 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | Diodes Incorporated |
企业简称 |
DIODES【美台半导体】 |
中文名称 | 美台半导体官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-2 14:46:00 |
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FMMT591Q规格书详情
描述 Description
This Bipolar Junction Transistor (BJT) has been designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.
特性 Features
• BVCEO > -60V
• IC = -1A High Continuous Collector Current
• ICM = -2A Peak Pulse Current
• RSAT = 295mΩ for a Low Equivalent On-Resistance
• hFE Characterized up to -2A for High Current Gain Hold Up
• Complementary NPN Type: FMMT491Q
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP Capable (Note 4)
产品属性
- 产品编号:
FMMT591QTA
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
350mV @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 500mA,5V
- 频率 - 跃迁:
150MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3
- 描述:
TRANS PNP 60V 1A SOT23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES |
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SOT23-3 |
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