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FMMT591A分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

FMMT591A
厂商型号

FMMT591A

参数属性

FMMT591A 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:SS MID-PERF TRANSISTOR SOT23 T\u0026R

功能描述

SOT23 PNP silicon planar medium power transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

155.59 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
DIODES
数据手册

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更新时间

2025-8-3 9:06:00

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FMMT591A规格书详情

特性 Features

• BVCEO > -40V

• IC = -1A High Continuous Current

• ICM = -2A Peak Pulse Current

• Low Saturation Voltage VCE(sat) < -500mV @ -1A

• RSAT = 350mΩ for a Low Equivalent On-resistance

• Complementary NPN type: FMMT491A

• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

• PPAP Capable (Note 4)

Application

• Power MOSFET gate driving

• Low loss power switching

产品属性

  • 产品编号:

    FMMT591AQTC

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    SS MID-PERF TRANSISTOR SOT23 T\u0026R

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