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FMMT591A	文件：141.98 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR FEATURES Low equivalent on resistance RCE(sat) = 350mΩ at 1A PART MARKING DETAIL - 91A COMPLEMENTARY TYPE - FMMT491A 文件：141.98 Kbytes 页数：2 Pages	ZETEX	ZETEX
FMMT591A	文件：155.59 Kbytes Page：4 Pages	SOT23 PNP silicon planar medium power transistor Features • BVCEO > -40V • IC = -1A High Continuous Current • ICM = -2A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：155.59 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT591A	文件：155.59 Kbytes Page：4 Pages	SOT23 PNP silicon planar medium power transistor Features • BVCEO > -40V • IC = -1A High Continuous Current • ICM = -2A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：155.59 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT591ATA	文件：155.59 Kbytes Page：4 Pages	SOT23 PNP silicon planar medium power transistor Features • BVCEO > -40V • IC = -1A High Continuous Current • ICM = -2A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：155.59 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT591ATC	文件：342.3 Kbytes Page：7 Pages	40V PNP MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT23 Features • BVCEO > -40V • IC = -1A High Continuous Current • ICM = -2A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：342.3 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT591A_15	文件：342.3 Kbytes Page：7 Pages	40V PNP MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT23 文件：342.3 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT591A	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 40V, 1A, SOT23	Diodes 美台半导体	Diodes
FMMT591AQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 40V, 1A, SOT23	Diodes 美台半导体	Diodes
FMMT591AQTC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：SS MID-PERF TRANSISTOR SOT23 T\u0026R	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT591ATA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 1A SOT23-3	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Yes
Product Type：
PNP
IC (A)：
1 A
ICM (A)：
2 A
PD (W)：
0.5 W
hFE (min)：
250 Min
hFE(@ IC)：
0.5 A
hFE(Min 2)：
160
hFE(@ IC2)：
1 A
VCE (SAT)Max (mV)：
200 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)：
2/200
VCE (SAT)(Max.2)：
500 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.02/2
fT (MHz)：
150 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT23

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