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FMMT620TA

SuperSOT 80V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR

DESCRIPTION Enhancing the existing SuperSOT range this 80V NPN transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques. Users are provided with high Hfe and very low sat performance ensuring low on state losses. FEATURES • Extremely Low Equivalent On Resistance

文件:294.9 Kbytes 页数:6 Pages

ZETEX

FMMT620TA

80V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23

Features • VCEO = 80V • VSAT = 90mΩ • IC = 1.5A • Low Equivalent On Resistance • Low Saturation Voltage • hFE Characterized up to 3.0A • Lead, Halogen, and Antimony Free/RoHS Compliant (Note 1) • “Green” Devices (Note 2) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability Applications

文件:208.75 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

FMMT620TA

SuperSOT??80V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR

文件:240.96 Kbytes 页数:6 Pages

ZETEX

FMMT620TA

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 1.5A SOT23-3

DIODES

美台半导体

产品属性

  • 产品编号:

    FMMT620TA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 50mA,1.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 200mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    160MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1.5A SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FMMT620TA供应商 更新时间2026-10-30 16:04:00