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FMMT634TC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 0.9A SOT23-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
FRJAE-634	文件：117.17 Kbytes Page：1 Pages	FRJAEASSEMBLY6POSITION&8POSITIONWITHORWITHOUTFERRITESSINGLEPORTHIGHTEMPMATERIAL	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
FSA634	文件：986.33 Kbytes Page：8 Pages	2:1MIPID-PHY(1.5Gbps)4DataLaneSwitch	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FSA634UCX	文件：986.33 Kbytes Page：8 Pages	2:1MIPID-PHY(1.5Gbps)4DataLaneSwitch	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FTP-634MCL	文件：207.24 Kbytes Page：3 Pages	THERMO-SENSITIVEPAPER	FujitsuFujitsu Component Limited. 富士通富士通株式会社	Fujitsu
HFP634	文件：727.44 Kbytes Page：8 Pages	250VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFS634	文件：779.81 Kbytes Page：7 Pages	250VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HMC634	文件：291.03 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMICDRIVERAMPLIFIER,5-20GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC634	文件：755.65 Kbytes Page：18 Pages	ACTIVEBIASCONTROLLER GeneralDescription HMC981isanactivebiascontrollerthatautomaticallyadjuststhegatevoltageofanexternalamplifiertoachieveconstantbiascurrent.ItcanbeusedtobiasanyenhancementanddepletiontypeamplifiersoperatinginClass-AregimewithDrainvoltagesfrom4Vto12Vanddr	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC634	文件：329.05 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMICDRIVERAMPLIFIER,5-20GHz	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

产品属性

产品编号：
FMMT634TC
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
960mV @ 5mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20000 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
140MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN DARL 100V 0.9A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FMMT634TC供应商更新时间2025-5-18 15:00:00

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