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FMMT717	文件：355.42 Kbytes Page：4 Pages	丝印：717；Package：SOT-23；SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS FEATURES * 625mW POWER DISSIPATION * IC CONT 2.5A * IC Up To 10A Peak Pulse Current * Excellent hfe Characteristics Up To 10A (pulsed) * Extremely Low Saturation Voltage E.g. 10mV Typ. * Exhibits extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat) 文件：355.42 Kbytes 页数：4 Pages	Zetex	Zetex
FMMT717	文件：440.66 Kbytes Page：4 Pages	SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS Features • BVCEO > -12V • IC = -2.5A Continuous Collector Current • ICM = -10A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage E.g. -17mV Max @ IC = -100mA. • RCE(sat) = 72mΩ at 2.5A for a low equivalent on-resistance • 625mW power dissipation • hFE characterised up to -10A for high current gai 文件：440.66 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT717	文件：367.43 Kbytes Page：4 Pages	SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS Features • BVCEO > -100V • IC = -1A High Continuous Collector Current • ICM= -2.5A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：367.43 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT717	文件：37.72 Kbytes Page：2 Pages	Switching Transistor Features ● 625mW power dissipation. ● IC CONT 2.5A. ● IC up to 10A peak pulse current. ● Excellent hfe characteristics up to 10A (pulsed). ● Extremely low saturation voltage e.g. 10mV typ.. ● Exhibits extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat) . 文件：37.72 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
FMMT717	文件：755.32 Kbytes Page：4 Pages	丝印：717；Package：SOT-23；PNP Transistor Features ● For Switching and Amplifier Applications. ● Extremely Low Saturation Voltage ● Complementary to NPN Type : FMMT617 文件：755.32 Kbytes 页数：4 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI
FMMT717	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistors	Willas 威伦	Willas
FMMT717	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Transistors	RM TECHNOLOGY 瑞美科	RM TECHNOLOGY
FMMT717	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 12V, 2.5A, SOT23	Diodes 美台半导体	Diodes
FMMT717TA	文件：367.43 Kbytes Page：4 Pages	SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS Features • BVCEO > -100V • IC = -1A High Continuous Collector Current • ICM= -2.5A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：367.43 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT717_12	文件：294.44 Kbytes Page：7 Pages	12V PNP SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23 文件：294.44 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance(Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Polarity：
PNP
IC (A)：
2.5
ICM (A)：
10
PD (W)：
0.625
hFE (Min)：
300
hFE (@ IC) (A)：
0.1
hFE(Min 2)：
180
hFE (@ IC2) (A)：
2.5
VCE(sat) Max (mV)：
17
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)：
0.1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV)：
220
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)：
2.5/50
fT (MHz)：
110
RCE(sat) (mΩ)：
72
Packages：
SOT23

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