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FMMT491QTA

60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23

Feature • BVCEO > 60V • IC = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • RCE(sat) = 195mΩ for a Low Equivalent On-Resistance • 500mW Power Dissipation • hFE Characterized up to 2A for High Current Gain Hold up • Complementary PNP Type: FMMT591 • Totally Lead-Free &

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美台半导体

FMMT491QTA

60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23

Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Feature • BVCEO > 60V • IC = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • RCE(SAT) = 195mΩ for a Low Equivalent On-Resistance • 500mW Power Dissip

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美台半导体

FMMT491QTA

60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR

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美台半导体

FMMT491QTA

60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23

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美台半导体

FMMT491QTA

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 60V 1A SOT23-3

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美台半导体

产品属性

  • 产品编号:

    FMMT491QTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 1A SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FMMT491QTA供应商 更新时间2026-2-1 10:01:00