FGAF20N60SMD中文资料IGBT，600V，20A，场截止数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

飞兆半导体的新型场截止第2代 IGBT 系列采用创新型场截止 IGBT 技术，为消费类电器、运动控制和家用电器等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

特性 Features

•最大结温 TJ = 175°C
•正温度系数，易于并联运行
•高电流能力
•低饱和电压： VCE(sat) = 1.7 V（典型值） @ IC = 20A
•高输入阻抗
•快速开关： EOFF =7uJ/A
•紧密的参数分布
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 消费型设备
• 运动控制-家用设备

简介

FGAF20N60SMD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGAF20N60SMD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。