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FGA60N60UFD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
FGA60N60UFD |
| 参数属性 | FGA60N60UFD 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 120A 298W TO3P |
| 功能描述 | IGBT，600V，60A，场截止 |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
| 人工找货 | FGA60N60UFD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGA60N60UFD规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的场截止 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。
特性 Features
•高电流能力
•低饱和电压：VCE(sat) =1.9V @ IC = 60A
•高输入阻抗
•快速开关：EOFF =14uJ/A
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 发电和配电
简介
FGA60N60UFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA60N60UFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGA60N60UFD
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：600
- IC Max (A)
：60
- VCE(sat) Typ (V)
：1.9
- VF Typ (V)
：2
- Eoff Typ (mJ)
：0.81
- Eon Typ (mJ)
：1.81
- Trr Typ (ns)
：179
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：188
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：298
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-3P-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
35615 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO3P |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
FSC |
20+ |
TO-3PN |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-3PN |
5428 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
1932+ |
TO-3P |
275 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-3P |
275 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON/安森美 |
19+ |
TO-3P |
150 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-247 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-3P |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
