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FGA40N65SMD中文资料IGBT，650V，40A，场截止数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FGA40N65SMD |
| 参数属性 | FGA40N65SMD 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN |
| 功能描述 | IGBT，650V，40A，场截止 |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 23:00:00 |
| 人工找货 | FGA40N65SMD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGA40N65SMD规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的场截止第二代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊机、感应加热、通讯、ESS 和 PFC 等低传导和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。
特性 Features
•最大结温TJ =175 °C
•正温度系数，易于并联运行
•高电流能力
•低饱和电压：VCE(sat) =1.9V（典型值）@ IC = 40A
•快速开关：EOFF =6.5uJ/A
•紧密的参数分布
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 发电和配电
• 不间断电源
• 其他工业
简介
FGA40N65SMD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA40N65SMD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGA40N65SMD
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：650
- IC Max (A)
：40
- VCE(sat) Typ (V)
：1.9
- VF Typ (V)
：2.1
- Eoff Typ (mJ)
：0.26
- Eon Typ (mJ)
：0.34
- Trr Typ (ns)
：200
- Irr Typ (A)
：3.6
- Gate Charge Typ (nC)
：119
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：349
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-3P-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
TO-3P |
20548 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-3P |
10 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-247 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
TO-3P |
32360 |
ON/安森美全新特价FGA40N65SMD即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON |
22+ |
TO-3PN |
3230 |
原装正品可支持验货,欢迎咨询 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-3PN |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
1927 |
TO-3P-3L |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
23+ |
TO247 |
6300 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
TO-3P |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 |
