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FGA20S125P数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
FGA20S125P |
参数属性 | FGA20S125P 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1250V 40A 250W TO-3PN |
功能描述 | IGBT,1250V,20A,短路阳极 |
封装外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
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FGA20S125P规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的短路阳极沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道和短路阳极技术,为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可并行配置,具有极佳的雪崩能力。该器件为感应加热和微波炉而设计。
特性 Features
•高速开关
•低饱和电压:VCE(sat) =2.0V @ IC = 20A
•高输入阻抗
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 消费型设备
简介
FGA20S125P属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA20S125P晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:FGA20S125P
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- V(BR)CES Typ (V)
:1250
- VF Typ (V)
:1.75
- Eoff Typ (mJ)
:0.5
- Eon Typ (mJ)
:0.74
- Trr Typ (ns)
:-
- Irr Typ (A)
:-
- Gate Charge Typ (nC)
:153
- Short Circuit Withstand (µs)
:-
- EAS Typ (mJ)
:-
- PD Max (W)
:250
- Package Type
:TO-3P-3L
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3370 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO3P |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-3P |
405 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-3P |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-3P |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
16+ |
TO-3P |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO-3P |
1709 |
询价 | |||
FSC |
1844+ |
TO-3P |
9852 |
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