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FGA20S125P数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

FGA20S125P

参数属性

FGA20S125P 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1250V 40A 250W TO-3PN

功能描述

IGBT,1250V,20A,短路阳极
IGBT 1250V 40A 250W TO-3PN

封装外壳

TO-3P-3,SC-65-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FGA20S125P规格书详情

描述 Description

飞兆半导体的短路阳极沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道和短路阳极技术,为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可并行配置,具有极佳的雪崩能力。该器件为感应加热和微波炉而设计。

特性 Features

•高速开关
•低饱和电压:VCE(sat) =2.0V @ IC = 20A
•高输入阻抗
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 消费型设备

简介

FGA20S125P属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA20S125P晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FGA20S125P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :1250

  • VF Typ (V)

    :1.75

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.5

  • Eon Typ (mJ)

    :0.74

  • Trr Typ (ns)

    :-

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :153

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :250

  • Package Type

    :TO-3P-3L

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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