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FGA15S125P数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
FGA15S125P |
| 参数属性 | FGA15S125P 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT TRENCH 1250V 30A TO3P |
| 功能描述 | IGBT，1250v，15A，短路阳极 |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
| 人工找货 | FGA15S125P价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGA15S125P规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的短路阳极沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道和短路阳极技术，为开关应用提供出色的导通和开关性能。该器件可并行配置，具有极佳的雪崩能力。该器件为感应加热和微波炉而设计。
特性 Features
•高速开关
•低饱和电压：VCE(sat) =2.25V @ IC = 15A
•高输入阻抗
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 消费型设备
简介
FGA15S125P属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA15S125P晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGA15S125P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：1250
- IC Max (A)
：15
- VCE(sat) Typ (V)
：2.25
- VF Typ (V)
：2
- Eoff Typ (mJ)
：0.5
- Eon Typ (mJ)
：0.74
- Trr Typ (ns)
：-
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：129
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：136
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-3P-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-3P |
1224 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
105 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-3P |
105 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-3P |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
15+ |
TO-3PN-3 |
200 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO-3P |
1160 |
询价 | |||
FSC |
1844+ |
TO-3P |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-3P |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-3P |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
