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FGA15N120ANTD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
FGA15N120ANTD |
参数属性 | FGA15N120ANTD 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 30A 186W TO3P |
功能描述 | 1200V NPT Trench IGBT |
封装外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
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FGA15N120ANTD规格书详情
简介
FGA15N120ANTD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA15N120ANTD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
FGA15N120ANTDTU-F109
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
NPT 和沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,15A
- 开关能量:
3mJ(开),600µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
15ns/160ns
- 测试条件:
600V,15A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商器件封装:
TO-3P
- 描述:
IGBT 1200V 30A 186W TO3P
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
5650 |
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询价 | ||
FSC |
2016+ |
TO-3P |
3000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO3P |
5650 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-3P |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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25+ |
TO-3P |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-247 |
880000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
24+/25+ |
TO-3PN |
23460 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | ||
FSC |
13+ |
TO-3P |
78 |
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询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
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