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FGA180N33AT中文资料330 V PDP 沟道 IGBT数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FGA180N33AT |
| 参数属性 | FGA180N33AT 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 330V 180A 390W TO3P |
| 功能描述 | 330 V PDP 沟道 IGBT |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 23:01:00 |
| 人工找货 | FGA180N33AT价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGA180N33AT规格书详情
描述 Description
Fairchild 的全新沟道 IGBT 产品系列采用创新型沟道 IGBT 技术，为 PDP 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。
特性 Features
•高电流能力
•高输入阻抗
•符合 RoHS 标准
应用 Application
消费电子 PDP电视
简介
FGA180N33AT属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA180N33AT晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
FGA180N33ATTU
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.4V @ 15V，40A
- 输入类型：
标准
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装：
TO-3P
- 描述：
IGBT 330V 180A 390W TO3P
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3380 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO3P |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-3P |
60 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
原装 |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
fsc |
23+ |
NA |
676 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
ON |
21+ |
TO-3P |
4950 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
23+ |
TO-3P |
9000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
TO-3P |
9981 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
20+ |
TO-3P |
4500 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 |
