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FGA20N120FTD中文资料IGBT，1200V，20A，场截止沟槽数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FGA20N120FTD |
| 参数属性 | FGA20N120FTD 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 40A 298W TO3PN |
| 功能描述 | IGBT，1200V，20A，场截止沟槽 |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 23:01:00 |
| 人工找货 | FGA20N120FTD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGA20N120FTD规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的 1200V 沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道技术，为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可并行配置极好的雪崩耐用性。该器件为感应加热和微波炉而设计。
特性 Features
•场截止沟道技术
•高速开关
•低饱和电压：VCE(sat) =1.6V @ IC = 20A
•高输入阻抗
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 消费型设备
简介
FGA20N120FTD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA20N120FTD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGA20N120FTD
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：1200
- IC Max (A)
：20
- VCE(sat) Typ (V)
：1.6
- VF Typ (V)
：1.3
- Eoff Typ (mJ)
：0.71
- Eon Typ (mJ)
：0.42
- Trr Typ (ns)
：485
- Irr Typ (A)
：48
- Gate Charge Typ (nC)
：137
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：298
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-3P-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3270 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO3P |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-247 |
11 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FSC |
20+ |
TO-3PN |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-3P |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
FSC |
16+ |
TO-3P |
20 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
23+ |
TO-3P |
8080 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON/安森美 |
NA |
8888 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO3PN |
43000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 |
