IGBT，1250V，20A，短路阳极

飞兆半导体的短路阳极沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道和短路阳极技术，为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可并行配置，具有极佳的雪崩能力。该器件为感应加热和微波炉而设计。 •高速开关\n•低饱和电压：VCE(sat) =2.0V @ IC = 20A\n•高输入阻抗\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

1250 V, 20 A Shorted-anode IGBT

文件：1.16137 Mbytes 页数：8 Pages

Fairchild

仙童半导体

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1250V 40A 250W TO-3PN

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1250V 20A 250W TO-3PN

ONSEMI

安森美半导体