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FGA25N120AND中文资料IGBT数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FGA25N120AND

参数属性

FGA25N120AND 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 40A 310W TO3P

功能描述

IGBT
IGBT 1200V 40A 310W TO3P

封装外壳

TO-3P-3,SC-65-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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FGA25N120AND规格书详情

描述 Description

General Description
Employing NPT technology, Fairchild’s AND series of IGBTs provides low conduction and switching losses. The AND series offers an solution for application such as induction heating (IH), motor control, general purpose inverters and uninterruptible power supplies (UPS).

特性 Features

• High speed switching
• Low saturation voltage : VCE(sat)= 2.5 V @ IC= 25A
• High input impedance
• CO-PAK, IGBT with FRD : trr = 235ns (typ.)Applications
Induction Heating, UPS, AC & DC motor controls and general purpose inverters.

简介

FGA25N120AND属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA25N120AND晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    FGA25N120ANDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.2V @ 15V,25A

  • 开关能量:

    4.8mJ(开),1mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    60ns/170ns

  • 测试条件:

    600V,25A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 1200V 40A 310W TO3P

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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