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FGA25N120ANTDTU数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
FGA25N120ANTDTU |
| 参数属性 | FGA25N120ANTDTU 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P |
| 功能描述 | IGBT，1200V，25A，NPT 沟槽 |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 18:28:00 |
| 人工找货 | FGA25N120ANTDTU价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGA25N120ANTDTU规格书详情
描述 Description
采用飞兆专有的沟道设计和先进NPT技术，此1200V NPT IGBT提供出色的导通和开关性能、高雪崩耐用性，易于并行运行。该设备非常适合谐振或软开关应用，例如感应加热、微波炉等。
特性 Features
•NPT 沟道技术，正温度系数
•低饱和电压：VCE(sat),典型值 = 2.0V@ IC = 25A 和 TC = 25°C
•低开关损耗：E关断, 典型值 = 2.0V@ IC = 25A 和 TC = 25°C
•极度增强雪崩能力
应用 Application
• 消费型设备
简介
FGA25N120ANTDTU属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA25N120ANTDTU晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGA25N120ANTDTU
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：1200
- VF Typ (V)
：2
- Eoff Typ (mJ)
：0.96
- Eon Typ (mJ)
：4.1
- Irr Typ (A)
：27
- Gate Charge Typ (nC)
：200
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：312
- Package Type
：TO-3P-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TO-3P-3L |
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TO-3P |
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原装现货假一赔十 |
询价 |
