FGA25N120ANTDTU中文资料IGBT，1200V，25A，NPT 沟槽数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

采用飞兆专有的沟道设计和先进NPT技术，此1200V NPT IGBT提供出色的导通和开关性能、高雪崩耐用性，易于并行运行。该设备非常适合谐振或软开关应用，例如感应加热、微波炉等。

特性 Features

•NPT 沟道技术，正温度系数
•低饱和电压：VCE(sat),典型值 = 2.0V@ IC = 25A 和 TC = 25°C
•低开关损耗：E关断, 典型值 = 2.0V@ IC = 25A 和 TC = 25°C
•极度增强雪崩能力

应用 Application

• 消费型设备

简介

FGA25N120ANTDTU属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA25N120ANTDTU晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。