FGA50S110P中文资料IGBT，1100V，50A，短路阳极数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

飞兆半导体的短路阳极沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道和短路阳极技术，为开关应用提供出色的导通和开关性能。该器件为电磁炉和微波炉量身定制。

特性 Features

•内置反并联二极管，用于软开关应用
•大开关频率范围：10 kHz 至 50 kHz
•高温稳定性能（Tjmax = 175℃）
•低饱和压降：VCE(sat) = 2.06 V，需 IC = 50 A
•鲁棒性锅炉检测噪声抗扰度
•符合 RoHS 标准（无铅引脚电镀）

简介

FGA50S110P属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA50S110P晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。