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FGA50S110P数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
FGA50S110P |
| 参数属性 | FGA50S110P 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT TRENCH/FS 1100V 50A TO3PN |
| 功能描述 | IGBT，1100V，50A，短路阳极 |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
| 人工找货 | FGA50S110P价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGA50S110P规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的短路阳极沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道和短路阳极技术，为开关应用提供出色的导通和开关性能。该器件为电磁炉和微波炉量身定制。
特性 Features
•内置反并联二极管，用于软开关应用
•大开关频率范围：10 kHz 至 50 kHz
•高温稳定性能（Tjmax = 175℃）
•低饱和压降：VCE(sat) = 2.06 V，需 IC = 50 A
•鲁棒性锅炉检测噪声抗扰度
•符合 RoHS 标准（无铅引脚电镀）
简介
FGA50S110P属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA50S110P晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGA50S110P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：1100
- IC Max (A)
：30
- VCE(sat) Typ (V)
：2.06
- VF Typ (V)
：1.96
- Eoff Typ (mJ)
：0.99
- Eon Typ (mJ)
：2.24
- Trr Typ (ns)
：-
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：195
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：300
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-3P-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-3P |
1224 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
30 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
17+ |
TO-247 |
30 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-3PN |
10 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON |
21+ |
TO247 |
1625 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-3P |
12500 |
代理原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-3PN |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
onsemi |
25+ |
TO-3P-3 SC-65-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 |
