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FGA30N120FTD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
FGA30N120FTD |
| 参数属性 | FGA30N120FTD 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 60A 339W TO3P |
| 功能描述 | IGBT，1200V，30A，场截止沟槽 |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 14:06:00 |
| 人工找货 | FGA30N120FTD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGA30N120FTD规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的 1200V 沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道技术，为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可并行配置极好的雪崩耐用性。该器件为感应加热和微波炉而设计。
特性 Features
•场截止沟道技术
•高速开关
•低饱和电压：VCE(sat) = 1.6V @ IC = 30A
•高输入阻抗
应用 Application
• 消费型设备
简介
FGA30N120FTD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA30N120FTD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGA30N120FTD
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：1200
- IC Max (A)
：30
- VCE(sat) Typ (V)
：1.6
- VF Typ (V)
：1.3
- Eoff Typ (mJ)
：1.16
- Eon Typ (mJ)
：0.54
- Trr Typ (ns)
：775
- Irr Typ (A)
：43
- Gate Charge Typ (nC)
：208
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：339
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-3P-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
10+ |
TO247 |
30 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-3P |
24 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-3PN |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
TO247 |
2530 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
10 |
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询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO3P |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-3P |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-3P |
9600 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-3P |
33 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-3P |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 |
