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FGA30N120FTD	文件：614.76 Kbytes Page：9 Pages	1200V, 30A Trench IGBT 文件：614.76 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGA30N120FTDTU	文件：614.76 Kbytes Page：9 Pages	1200V, 30A Trench IGBT 文件：614.76 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGA30N120FTD	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT，1200V，30A，场截止沟槽飞兆半导体的 1200V 沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道技术，为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可并行配置极好的雪崩耐用性。该器件为感应加热和微波炉而设计。 •场截止沟道技术\n•高速开关\n•低饱和电压：VCE(sat) = 1.6V @ IC = 30A\n•高输入阻抗;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGA30N120FTDTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 60A 339W TO3P	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
V(BR)CES Typ (V)：
1200
IC Max (A)：
30
VCE(sat) Typ (V)：
1.6
VF Typ (V)：
1.3
Eoff Typ (mJ)：
1.16
Eon Typ (mJ)：
0.54
Trr Typ (ns)：
775
Irr Typ (A)：
43
Gate Charge Typ (nC)：
208
PD Max (W)：
339
Co-Packaged Diode：
Yes
Package Type：
TO-3P-3L

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更多FGA30N120FTD供应商更新时间2026-1-29 16:50:00

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