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FGA50N100BNTTU数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

FGA50N100BNTTU

参数属性

FGA50N100BNTTU 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1000V 50A 156W TO3P

功能描述

IGBT 1000V 50A 156W TO3P

封装外壳

TO-3P-3,SC-65-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 15:35:00

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FGA50N100BNTTU规格书详情

简介

FGA50N100BNTTU属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA50N100BNTTU晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FGA50N100BNTTU

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :1000V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :50A

  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)

    :200A

  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

    :2.9V @ 15V,60A

  • 功率 - 最大值

    :156W

  • 开关能量

    :-

  • 输入类型

    :标准

  • 栅极电荷

    :257nC

  • 25°C 时 Td(开/关)值

    :34ns/243ns

  • 测试条件

    :600V,60A,10 欧姆,15V

  • 工作温度

    :-55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型

    :通孔

  • 封装/外壳

    :TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装

    :TO-3P

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