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FGA40S65SH中文资料IGBT，650 V，40A，场截止沟槽数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FGA40S65SH |
| 参数属性 | FGA40S65SH 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN |
| 功能描述 | IGBT，650 V，40A，场截止沟槽 |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 23:01:00 |
| 人工找货 | FGA40S65SH价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGA40S65SH规格书详情
简介
FGA40S65SH属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA40S65SH晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGA40S65SH
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：650
- IC Max (A)
：40
- VCE(sat) Typ (V)
：1.4
- VF Typ (V)
：1.45
- Eoff Typ (mJ)
：388
- Eon Typ (mJ)
：194
- Trr Typ (ns)
：-
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：73
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：268
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-3P-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-247 |
1224 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
103 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FSC |
20+ |
TO-247 |
100 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
23+ |
TO-3P |
22500 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-3P |
12500 |
代理原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
NA |
13500 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-3P |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON |
25+ |
TO-3P |
3600 |
原厂原装,价格优势 |
询价 |
