首页>FGA6065ADF>规格书详情

FGA6065ADF数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

PDF无图
厂商型号

FGA6065ADF

参数属性

FGA6065ADF 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN

功能描述

IGBT,650V,60A,场截止沟槽
IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN

封装外壳

TO-3P-3,SC-65-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-6 8:25:00

人工找货

FGA6065ADF价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FGA6065ADF规格书详情

描述 Description

此 ADF IGBT 系列采用第三代场截止沟道式 IGBT,提供极低的 Rds(on) 及快得多的开关特性,实现出色效率。 而且,这种技术针对各种 PFC(功率因数校正)拓扑进行全面优化;单级升压、多沟道交错式及超过 20KHz 的开关性能。 TO3P 封闭提供超低热电阻,提供更广泛的 SOA,实现出色的系统稳定性。

特性 Features

•最大结温: TJ = 175 °C
•正温度系数,易于并联运行
•高电流能力
•低饱和电压: VCE(sat)=1.8 V(典型值) (IC=60 A)
•部件 100% 经过 ILM
检测
•高输入阻抗
•快速开关
•符合 RoHS 标准

简介

FGA6065ADF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA6065ADF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FGA6065ADF

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :650

  • IC Max (A)

    :60

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.8

  • VF Typ (V)

    :1.8

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.52

  • Eon Typ (mJ)

    :2.46

  • Trr Typ (ns)

    :271

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :84

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :306

  • Co-Packaged Diode

    :No

  • Package Type

    :TO-3P-3L

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
21+
TO-3P
1709
询价
ON Semiconductor
2022+
TO-3PN
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
onsemi(安森美)
24+
TO-3P
1224
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
询价
ON/安森美
25
6000
原装正品
询价
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
3290
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON(安森美)
2511
TO-3P
8790
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
询价
FAIRCHILD
1932+
TO-3P
257
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
ON/安森美
23+
TO-3P
8080
正规渠道,只有原装!
询价
Fairchild(飞兆/仙童)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价