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FGA6065ADF数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
FGA6065ADF |
参数属性 | FGA6065ADF 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN |
功能描述 | IGBT,650V,60A,场截止沟槽 |
封装外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 8:25:00 |
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FGA6065ADF规格书详情
描述 Description
此 ADF IGBT 系列采用第三代场截止沟道式 IGBT,提供极低的 Rds(on) 及快得多的开关特性,实现出色效率。 而且,这种技术针对各种 PFC(功率因数校正)拓扑进行全面优化;单级升压、多沟道交错式及超过 20KHz 的开关性能。 TO3P 封闭提供超低热电阻,提供更广泛的 SOA,实现出色的系统稳定性。
特性 Features
•最大结温: TJ = 175 °C
•正温度系数,易于并联运行
•高电流能力
•低饱和电压: VCE(sat)=1.8 V(典型值) (IC=60 A)
•部件 100% 经过 ILM
检测
•高输入阻抗
•快速开关
•符合 RoHS 标准
简介
FGA6065ADF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA6065ADF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:FGA6065ADF
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- V(BR)CES Typ (V)
:650
- IC Max (A)
:60
- VCE(sat) Typ (V)
:1.8
- VF Typ (V)
:1.8
- Eoff Typ (mJ)
:0.52
- Eon Typ (mJ)
:2.46
- Trr Typ (ns)
:271
- Irr Typ (A)
:-
- Gate Charge Typ (nC)
:84
- Short Circuit Withstand (µs)
:-
- EAS Typ (mJ)
:-
- PD Max (W)
:306
- Co-Packaged Diode
:No
- Package Type
:TO-3P-3L
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO-3P |
1709 |
询价 | |||
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-3PN |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-3P |
1224 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25 |
6000 |
原装正品 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3290 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
2511 |
TO-3P |
8790 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1932+ |
TO-3P |
257 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-3P |
8080 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 |