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FGA60N65SMD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
FGA60N65SMD |
| 参数属性 | FGA60N65SMD 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P |
| 功能描述 | IGBT，650V，60A，场截止 |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 8:36:00 |
| 人工找货 | FGA60N65SMD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGA60N65SMD规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的场截止第二代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。
特性 Features
•最大结温TJ =175 °C
•正温度系数，易于并联运行
•高电流能力
•低饱和电压：VCE(sat) =1.9V（典型值）@ IC = 60A
•快速开关：EOFF =7.5uJ/A
•紧密的参数分布
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 发电和配电
• 不间断电源
• 其他工业
简介
FGA60N65SMD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA60N65SMD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGA60N65SMD
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：650
- IC Max (A)
：60
- VCE(sat) Typ (V)
：1.9
- VF Typ (V)
：2.1
- Eoff Typ (mJ)
：0.45
- Eon Typ (mJ)
：1.54
- Trr Typ (ns)
：212
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：189
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：600
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-3P-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
TO-3P |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-3P |
89199 |
询价 | |||
ON/安森美 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO-3P |
1709 |
询价 | |||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-247 |
20000 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
TO-3P |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-3P |
54000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25 |
6000 |
原装正品 |
询价 | |||
ON/安森美 |
17+ |
TO-3P |
29561 |
全新原装现货 |
询价 |
