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FGA60N65SMD	文件：3.23672 Mbytes Page：12 Pages	New Products, Tips and Tools for Power and Mobile Applications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA60N65SMD	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BRG60N65D	文件：1.99377 Mbytes Page：10 Pages	Insulated-GateBipolarTransistorinaTO-3PPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
HMG60N65FT	文件：1.21809 Mbytes Page：8 Pages	650V/60ATrenchFieldStopIGBT	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI

产品属性

产品编号：
FGA60N65SMD
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，60A
开关能量：
1.54mJ（开），450µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
18ns/104ns
测试条件：
400V，60A，3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P

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