丝印：FGA60N65SMD；Package：TO-3PN；650 V, 60 A Field Stop IGBT

Features • Maximum Junction Temperature : TJ = 175oC • Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating • High Current Capability • Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.9 V(Typ.) @ IC = 60 A • Fast Switching : EOFF = 7.5 uJ/A • Tighten Parameter Distribution • RoHS Compliant

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ONSEMI

安森美半导体

New Products, Tips and Tools for Power and Mobile Applications

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FAIRCHILD

仙童半导体

IGBT，650V，60A，场截止

飞兆半导体的场截止第二代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。 •最大结温TJ =175 °C\n•正温度系数，易于并联运行\n•高电流能力\n•低饱和电压：VCE(sat) =1.9V（典型值）@ IC = 60A\n•快速开关：EOFF =7.5uJ/A\n•紧密的参数分布\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P

ONSEMI

安森美半导体