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FGA6560WDF数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
FGA6560WDF |
| 参数属性 | FGA6560WDF 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN |
| 功能描述 | IGBT，650V，60A，场截止沟槽 |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
| 人工找货 | FGA6560WDF价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGA6560WDF规格书详情
描述 Description
Fairchild 的场截止第 3代 IGBT 新系列采用的是创新的场截止 IGBT 技术，为低导通和开关损耗的焊接机应用提供最优性能。
特性 Features
•最大结温： TJ=175°C
•正温度系数，易于并联运行
•高电流能力
•低饱和电压： VCE(sat) =1.8 V（典型值） （IC= 60 A）
•部件 100% 经过 ILM
检测
•高输入阻抗
•快速开关
•符合 RoHS 标准
简介
FGA6560WDF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA6560WDF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGA6560WDF
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：650
- IC Max (A)
：60
- VCE(sat) Typ (V)
：1.8
- VF Typ (V)
：1.8
- Eoff Typ (mJ)
：0.52
- Eon Typ (mJ)
：2.46
- Trr Typ (ns)
：271
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：84
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：306
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-3P-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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