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FGA6540WDF数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

FGA6540WDF

参数属性

FGA6540WDF 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN

功能描述

IGBT,650 V,40A,场截止沟槽
IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN

封装外壳

TO-3P-3,SC-65-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 16:20:00

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FGA6540WDF规格书详情

描述 Description

飞兆半导体的场截止第 3 代 IGBT 新系列采用的是新颖的电场截止型 IGBT 技术,为低导通和开关损耗的焊接和 PFC 应用提供最优性能。

特性 Features

•最大结温: TJ=175°C
•正温度系数,易于并联运行
•高电流能力
•低饱和电压: VCE(sat) =1.8 V(典型值) @ IC=40 A
•部件 100% 经过 ILM
检测
•高输入阻抗
•快速开关
•紧密的参数分布
•符合 RoHS 标准

简介

FGA6540WDF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA6540WDF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FGA6540WDF

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :650

  • IC Max (A)

    :40

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.8

  • VF Typ (V)

    :1.5

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.25

  • Eon Typ (mJ)

    :1.37

  • Trr Typ (ns)

    :238

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :55.5

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :238

  • Co-Packaged Diode

    :Yes

  • Package Type

    :TO-3P-3L

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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