IGBT，650 V，40A，场截止沟槽

飞兆半导体的场截止第 3 代 IGBT 新系列采用的是新颖的电场截止型 IGBT 技术，为低导通和开关损耗的焊接和 PFC 应用提供最优性能。 •最大结温： TJ=175°C\n•正温度系数，易于并联运行\n•高电流能力\n•低饱和电压： VCE(sat) =1.8 V（典型值） @ IC=40 A\n•部件 100% 经过 ILM\n 检测\n•高输入阻抗\n•快速开关\n•紧密的参数分布\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN

ONSEMI

安森美半导体

gas Mass Flow Controllers With RS485 Standard and Alarm Functions For Clean Gases

文件：352.07 Kbytes 页数：4 Pages

OMEGA

Large Diameter (56 mm), Housed Two and Three Channel Optical Encoders

文件：278.43 Kbytes 页数：15 Pages

HP

安捷伦

Large Diameter (56 mm), Housed Two and Three Channel Optical Encoders

文件：278.43 Kbytes 页数：15 Pages

HP

安捷伦