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FGA6530WDF数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
FGA6530WDF |
| 参数属性 | FGA6530WDF 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 650V 60A 176W TO3PN |
| 功能描述 | 650 V、30 A 场截止沟道 IGBT |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
| 人工找货 | FGA6530WDF价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGA6530WDF规格书详情
描述 Description
Fairchild 的场截止第 3代 IGBT 新系列采用创新型场截止 IGBT 技术，为低导通和开关损耗的焊接应用提供最优性能。
特性 Features
•最大结温： TJ = 175°C
•正温度系数，易于并联运行
•高电流能力
•低饱和电压： VCE(sat) = 1.8 V（典型值） @ IC = 30 A
•ILM
部件 100% 检测
•高输入阻抗
•快速开关
•紧密的参数分布
•符合 RoHS 标准
简介
FGA6530WDF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA6530WDF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGA6530WDF
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：650
- IC Max (A)
：30
- VCE(sat) Typ (V)
：1.8
- VF Typ (V)
：1.7
- Eoff Typ (mJ)
：0.162
- Eon Typ (mJ)
：0.96
- Trr Typ (ns)
：81
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：37.4
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：176
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-3P-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-3P |
1224 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
3356 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-247 |
360 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
16+ |
TO-3P |
30 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-247 |
2400 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO-3PN |
1709 |
询价 | |||
ON/安森美 |
1629+ |
TO-3P |
1379 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | ||
onsemi |
25+ |
TO-3P-3 SC-65-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-3P |
3000 |
全新原装正品!一手货源价格优势! |
询价 |
