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FGA40T65SHD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
FGA40T65SHD |
| 参数属性 | FGA40T65SHD 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN |
| 功能描述 | IGBT，650 V，40A，场截止沟槽 |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
| 人工找货 | FGA40T65SHD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGA40T65SHD规格书详情
描述 Description
Fairchild 的场截止第三代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。
特性 Features
•最大结温： TJ=175°C
•正温度系数，易于并联运行
•高电流能力
•低饱和电压： VCE(sat)=1.6 V（典型值） @ IC=40 A
•部件 100% 经过 ILM
检测
•高输入阻抗
•快速开关
•紧密的参数分布
•符合 RoHS 标准
简介
FGA40T65SHD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA40T65SHD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGA40T65SHD
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：650
- IC Max (A)
：40
- VCE(sat) Typ (V)
：1.6
- VF Typ (V)
：2.2
- Eoff Typ (mJ)
：0.297
- Eon Typ (mJ)
：1.01
- Trr Typ (ns)
：192
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：72.2
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：268
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-3P-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-3P |
928 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
16750 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
TO-3P |
996880 |
只做原装,欢迎来电资询 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
25+ |
TO-3P |
32000 |
ON/安森美全新特价FGA40T65SHD即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-3P |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON |
1905 |
N/A |
1764 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO-3P-3L |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO-3P |
1709 |
询价 |
