Field Stop Trench IGBT 650 V, 40 A

General Description Using novel field stop IGBT technology, onsemi’s new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential. Features  Maximum Junc

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IGBT，650 V，40A，场截止沟槽

Fairchild 的场截止第三代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。 •最大结温： TJ=175°C\n•正温度系数，易于并联运行\n•高电流能力\n•低饱和电压： VCE(sat)=1.6 V（典型值） @ IC=40 A\n•部件 100% 经过 ILM\n 检测\n•高输入阻抗\n•快速开关\n•紧密的参数分布\n•符合 RoHS 标准;

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Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN

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IGBT，650 V，40A，场截止沟槽

Fairchild 新型场截止第三代 IGBT 采用创新型的场截止 IGBT 技术，可以提供优越的导通和开关性能，并且易于并联运行。 该设备非常适合谐振或软开关应用，例如感应加热、微波炉等。 •最大结温： TJ = 175°C\n•正温度系数，易于并联运行\n•高电流能力\n•低饱和电压： VCE(sat)=1.45 V（典型值） @ IC = 40 A\n•部件 100% 经过 ILM\n 检测\n•高输入阻抗\n•快速开关\n•紧密的参数分布\n•符合 RoHS 标准;

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Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN

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