FGA40T65SHDF中文资料IGBT，650 V，40A，场截止沟槽数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

Fairchild 新型场截止第三代 IGBT 采用创新型的场截止 IGBT 技术，可以提供优越的导通和开关性能，并且易于并联运行。 该设备非常适合谐振或软开关应用，例如感应加热、微波炉等。

特性 Features

•最大结温： TJ = 175°C
•正温度系数，易于并联运行
•高电流能力
•低饱和电压： VCE(sat)=1.45 V（典型值） @ IC = 40 A
•部件 100% 经过 ILM
检测
•高输入阻抗
•快速开关
•紧密的参数分布
•符合 RoHS 标准

简介

FGA40T65SHDF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA40T65SHDF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。