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FGA90N33ATD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
FGA90N33ATD |
| 参数属性 | FGA90N33ATD 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 330V 90A 223W TO3P |
| 功能描述 | 330V，PDP 沟槽 IGBT |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 20:00:00 |
| 人工找货 | FGA90N33ATD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGA90N33ATD规格书详情
描述 Description
安森美半导体的新型沟槽 IGBT 系列采用新型沟槽 IGBT 技术，为低导通和开关损耗至关重要的 PDP 应用提供最佳性能。
特性 Features
•高电流能力
•低饱和电压： VCE(sat) =1.1V @ IC = 20A
•高输入阻抗
•快速开关
•符合 RoHS 标准
应用 Application
PDP电视
简介
FGA90N33ATD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA90N33ATD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
FGA90N33ATDTU
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.4V @ 15V，20A
- 输入类型：
标准
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装：
TO-3P
- 描述：
IGBT 330V 90A 223W TO3P
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
9836 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-3P |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FSC |
20+ |
TO-3PN |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
F/C |
24+ |
TO-3P |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1150+ |
TO-3P |
82 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO-3P |
1709 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
04+ |
TO-3P |
298 |
询价 | |||
FAIRCHILD/原装 |
21+ |
TO-3P |
806 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
2556 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 |
